參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校,、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測項(xiàng)目

氧化層厚度測量：0.5-10nm范圍精度±0.1nm

界面態(tài)密度分析：1×10^10 - 1×10^12 cm^-2·eV^-1

擊穿電場強(qiáng)度測試：8-15 MV/cm臨界值判定

漏電流特性評估：@1V偏壓 ≤1×10^-7 A/cm2

表面粗糙度表征：RMS ≤0.2nm @1μm2掃描區(qū)域

檢測范圍

MOSFET器件柵極氧化層

CMOS圖像傳感器介質(zhì)層

閃存單元隧穿氧化膜

功率器件場極板介質(zhì)

MEMS結(jié)構(gòu)鈍化保護(hù)層

檢測方法

ASTM F1241-22：橢偏法測量薄膜厚度

ISO 14707:2021：XPS界面化學(xué)態(tài)分析

GB/T 16525-2017：介質(zhì)擊穿電壓測試規(guī)范

IEC 60749-27:2020：C-V法界面態(tài)密度測定

GB/T 35011-2018：原子力顯微鏡表面形貌表征

檢測設(shè)備

J.A. Woollam M-2000UI全自動(dòng)橢偏儀：支持0.1-100nm超薄膜測量

Keysight B1500A半導(dǎo)體分析儀：實(shí)現(xiàn)pA級漏電流測試

Bruker Dimension Icon原子力顯微鏡：0.05nm垂直分辨率

Thermo Fisher ESCALAB Xi+ XPS系統(tǒng)：空間分辨率<3μm

Oxford Instruments PlasmaPro 100 CVD系統(tǒng)：原位生長質(zhì)量監(jiān)控

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測,。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)